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掩模对准曝光机，又称光刻机、曝光系统或光刻系统，是半导体制造、微纳加工及光电子器件生产中的核心设备。其功能是将掩模版（Mask）上的微纳图形J确地转移到涂有光刻胶的基片（如硅片、玻璃片等）上，是集成电路（IC）、微机电系统（MEMS）、传感器、LED等器件制造的关键工艺步骤。
工作原理
1.掩模与基片对准：通过高精度对准系统，将掩模版上的图形与基片上的标记J确对齐，确保图形转移的准确性。
2.曝光：利用光源（如紫外光、深紫外光、极紫外光等）照射掩模版，光线透过掩模版上的透明区域，照射到基片上的光刻胶层。
3.图形转移：光刻胶在光照下发生化学反应，形成潜影。经过显影、刻蚀等后续工艺，将潜影转化为实际的微纳图形。
主要类型
1.接触式曝光机：掩模版直接与基片接触，分辨率高，但易损伤掩模版和基片。
2.接近式曝光机：掩模版与基片保持微小间隙（几微米至几十微米），减少损伤，但分辨率略有下降。
3.投影式曝光机：通过光学系统将掩模版图形缩小投影到基片上，适用于大尺寸基片和高分辨率需求。
（1）步进式曝光机（Stepper）：分步曝光，适用于中小尺寸基片。
（2）扫描式曝光机（Scanner）：通过掩模版与基片的相对扫描实现曝光，适用于大尺寸基片。
关键技术指标
1.分辨率：决定最小可转移图形的尺寸，受光源波长、数值孔径（NA）等因素影响。
2.对准精度：掩模版与基片图形的对准误差，通常要求亚微米级精度。
3.套刻精度：多层图形之间的对准精度，对复杂集成电路制造至关重要。
4.产能：单位时间内可处理的基片数量，影响生产效率。
应用领域
1.半导体制造：用于制造集成电路、存储器、逻辑器件等。
2.MEMS与传感器：制造微机械结构、压力传感器、加速度计等。
3.光电子器件：制造LED、激光器、光电探测器等。
4.平板显示：制造TFT-LCD、OLED等显示面板。
更多产品信息来源：https://www.chem17.com/st110205/
http://www.dymek.com.cn/SonList-1931160.html
掩模对准曝光机关键技术指标